直流磁控濺射儀作為一種廣泛應(yīng)用的薄膜制備設(shè)備，在實(shí)際使用中常會(huì)遇到多種問(wèn)題。這些問(wèn)題通常涉及工藝穩(wěn)定性、薄膜質(zhì)量、設(shè)備維護(hù)等方面。以下是對(duì)常見問(wèn)題的梳理、原因分析及解決建議：

 一、 等離子體不穩(wěn)定或無(wú)法輝光

1. 問(wèn)題表現(xiàn)：

    輝光放電不穩(wěn)定、閃爍或跳動(dòng)。

    無(wú)法正常起輝，無(wú)等離子體產(chǎn)生。

2. 可能原因及對(duì)策：

    真空度不足：本底真空或工作氣壓未達(dá)到起輝要求。應(yīng)檢查真空系統(tǒng)（泵、閥門、管路）是否泄漏。

    氣體進(jìn)氣問(wèn)題：工作氣體Ar不純，或者腔體內(nèi)氬氣過(guò)少，導(dǎo)致輝光不正常。

    靶材問(wèn)題：靶材過(guò)度消耗導(dǎo)致磁控跑道區(qū)域暴露不全、靶材中毒（反應(yīng)濺射時(shí)）或背板冷卻不良導(dǎo)致靶面溫度過(guò)高。檢查靶材狀態(tài)，確保冷卻水通暢。

    接地不良：腔體或樣品臺(tái)接地不良，導(dǎo)致放電回路異常。檢查所有電氣連接和接地線。

 二、 薄膜質(zhì)量問(wèn)題

1. 附著力差：

    原因：基片清潔不徹1底、基片溫度過(guò)低、沉積初期離子轟擊不足（偏壓未開啟或過(guò)低）、或薄膜內(nèi)應(yīng)力過(guò)大。

    對(duì)策：基片清洗（超聲清洗、等離子體清洗）；適當(dāng)提高基片溫度；開啟基片偏壓進(jìn)行離子清洗和增強(qiáng)膜基結(jié)合力；優(yōu)化工藝參數(shù)（鍍膜之前先鍍一層增加附著力的底膜，如鎳）。

2. 薄膜不均勻：

    原因：靶材侵蝕不均、基片與靶面不平行、基片公轉(zhuǎn)/自轉(zhuǎn)失效。

    對(duì)策：優(yōu)化靶材磁場(chǎng)分布（使用可調(diào)磁控靶）；確?；揭苹蛐D(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)正常；調(diào)整靶-基相對(duì)位置和角度；必要時(shí)使用擋板優(yōu)化膜厚分布。

 通用維護(hù)與預(yù)防建議

1. 規(guī)范操作：嚴(yán)格按照設(shè)備操作規(guī)程進(jìn)行，尤其是抽真空、充氣、啟停電源等步驟。

2. 定期維護(hù)：

    定期清潔腔體、更換泵油、檢查密封圈。

    校準(zhǔn)真空計(jì)、流量計(jì)、電源等關(guān)鍵部件。

    檢查冷卻水系統(tǒng)和氣路管道。

3. 工藝記錄：詳細(xì)記錄每次運(yùn)行的參數(shù)、現(xiàn)象和結(jié)果，便于問(wèn)題追溯和工藝優(yōu)化。

4. 充分預(yù)熱與預(yù)濺射：開機(jī)后和正式鍍膜前，對(duì)設(shè)備進(jìn)行充分預(yù)熱，并對(duì)靶材進(jìn)行足夠時(shí)間的預(yù)濺射以清潔靶面并穩(wěn)定等離子體。